化學鍍制備納米間隙電極的方法
選擇性化學鍍制備納米間隙電極的方法是一種制備納米級電子器件的方法。
第一步：通過一般的光刻技術加工出所需的雙電極結構的器件，其中電極可為任意金屬材料，基底為硅基材料；
第二步：通過分子組裝技術獲得暴露的硅基材料表面的光敏薄層，通過浸涂工藝涂上一層化學鍍引發劑層，通過顯影工藝將已曝光的白組裝光敏層去除，只留下金屬材料表面的引發劑層；
第三步：在調制引發劑層圖形的基礎上進行化學鍍，獲得納米尺度間隙的雙電極結構器件。
選擇性化學鍍制備納米間隙電極的方法是一種制備納米級電子器件的方法。
第一步：通過一般的光刻技術加工出所需的雙電極結構的器件，其中電極可為任意金屬材料，基底為硅基材料；
第二步：通過分子組裝技術獲得暴露的硅基材料表面的光敏薄層，通過浸涂工藝涂上一層化學鍍引發劑層，通過顯影工藝將已曝光的白組裝光敏層去除，只留下金屬材料表面的引發劑層；
第三步：在調制引發劑層圖形的基礎上進行化學鍍，獲得納米尺度間隙的雙電極結構器件。
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